µµ½Ã¹ÙÄÚÆÛ·¹À̼ÇÀº »ðÀԼսǰú ¹«¼± ÁÖÆļö(RF) ¿Ö°îÀÌ ¾÷°è¿¡¼ ÃÖÀú ¼öÁØÀ¸·Î LTE-A¸¦ Áö¿øÇÏ´Â ½º¸¶Æ®Æù¿ë RF¾ÈÅ׳ª ½ºÀ§Ä¡ IC(ÁýÀûȸ·Î)ÀÎ SP12T¸¦ °³¹ßÇß´Ù°í ¹ßÇ¥Çß´Ù.
¸ð¹ÙÀÏ µð¹ÙÀ̽ºÀÇ RFȸ·Î¿¡ »ç¿ëµÇ´Â ¾ÈÅ׳ª ½ºÀ§Ä¡IC´Â ´ÙÁß Æ÷Æ®¿Í »ðÀÔ¼Õ½Ç ¹× ¼±Çü¼ºÀ» Æ÷ÇÔÇÑ RF ¼º´ÉÀ» Çâ»ó½ÃÅ°´Â Á¦Ç°ÀÇ ¼ö¿ä°¡ Áõ°¡ÇÏ´Â Ãß¼¼¸¦ º¸ÀÌ°í ÀÖ´Ù. ¶ÇÇÑ ½ÅÈï½ÃÀå¿¡¼ ±ÞÁõÇÏ°í ÀÖ´Â µ¥ÀÌÅÍ Àü¼Û ¼Óµµ°¡ ºü¸¥ ¸ð¹ÙÀÏ Åë½Å±â±â ¼ö¿ä¿¡ ´ëÀÀÇϱâ À§Çؼ´Â ºñ¿ë È¿°úÀûÀÎ ¹æ¹ýÀ¸·Î ÀÌ·¯ÇÑ RF ¼º´ÉÀ» Çâ»ó½Ãų ÇÊ¿ä°¡ ÀÖ´Ù.
ÀÌ·¯ÇÑ ¿ä±¸¿¡ ºÎÀÀÇØ µµ½Ã¹Ù´Â ½Ç¸®ÄÜ-¿Â-Àν¶·¹ÀÌÅÍ(SOI) ±â¼úÀ» »ç¿ëÇØ ½Å¼¼´ë µµ½Ã¹Ù ÷´Ü RF SOIÀÎ ‘TaRF6’À» °³¹ßÇß´Ù. TarfSOI´Â ´ÜÀÏ Ä¨¿¡ ¾Æ³¯·Î±×¿Í µðÁöÅÐ ¹× RF ȸ·Î¸¦ ÅëÇÕÇÑ °ÍÀ¸·Î, ÀÌ Ä¨Àº °¥·ýºñ¼Ò(GaAs)¿Í °°Àº ±âÁ¸ ¼Ö·ç¼Ç¿¡ ºñÇØ ¸Å¿ì º¹ÀâÇÑ ½ºÀ§Äª ±â´É°ú RF ¼º´ÉÀ» Áö¿øÇÏ´Â ºñ¿ë È¿°úÀûÀÎ ¼Ö·ç¼ÇÀ» Á¦°øÇÑ´Ù.
»õ·Î¿î ‘TaRF6’ °øÁ¤À» ÅëÇØ RF½ºÀ§Ä¡ ¾ÖÇø®ÄÉÀ̼ǿ¡ ¸ÂÃá ±Ý¼Ó»êȸ· ¹ÝµµÃ¼ Àü°èÈ¿°ú Æ®·£Áö½ºÅÍ(MOSFET)°¡ °³¹ßµÅ »õ·Î¿î SP12T RF ¾ÈÅ׳ª ½ºÀ§Ä¡ IC¿¡ ä¿ëµÊÀ¸·Î½á 0.42dBÀÇ »ðÀÔ ¼Õ½Ç(f=2.7GHz)°ú -90dBmÀÇ 2Â÷ °íÁ¶ÆÄ ¿Ö°îÀ» ´Þ¼ºÇß´Ù.
ÀÌ´Â ±âÁ¸ÀÇ ‘TaRF5’ °øÁ¤À» »ç¿ëÇÑ Á¦Ç° º¸´Ù »ðÀÔ ¼Õ½Ç(f=2.7GHz)ÀÌ 0.26dB Çâ»óµÇ°í 2Â÷ °íÁ¶ÆÄ ¿Ö°îÀÌ 18dB °³¼±µÈ °ÍÀ» ÀǹÌÇÑ´Ù. »ðÀÔ ¼Õ½ÇÀÌ ³·À¸¸é ½º¸¶Æ®ÆùÀÇ Àü·Â ¼Ò¸ð°¡ ±×¸¸Å ÁÙ°í, ¿Ö°îÀÌ ¾àÇÏ¸é ¿Ö°îÀÌ ÀûÀº ÁÖÆļö´ë¿ª ¹À½ ±â¹ý(CA)¿¡ ±â¹ÝÇÑ ½º¸¶Æ®ÆùÀÇ °³¹ßÀÌ °¡´ÉÇÏ´Ù.
µµ½Ã¹Ù´Â ÇöÀç Àü¼¼°èÀûÀ¸·Î »ç¿ëµÇ°í ÀÖ´Â LTE¿Í µÚÀÌ¾î µµÀ﵃ °ÍÀ¸·Î ¿¹»óµÇ´Â LTE-A°¡ ¿ä±¸ÇÏ´Â ´ÙÁß Æ÷Æ®ÀÇ º¹ÀâÇÑ ±â´ÉÀ» °¡Áø ½º¸¶Æ®ÆùÀÇ ¼ö¿ä¿¡ ´ëÀÀÇÏ¿© ¿ÃÇØ ¸»±îÁö ‘TaRF6’ °øÁ¤À» »ç¿ëÇÑ »ðÀÔ ¼Õ½Ç°ú ¿Ö°îÀÌ ³·Àº Á¦Ç° ¶óÀξ÷À» È®´ëÇÒ ¿¹Á¤ÀÌ´Ù. ¶Ç µµ½Ã¹Ù´Â TarfSOI ±â¼úÀ» »ç¿ëÇØ SOI ÆÄ¿îµå¸® ¼ºñ½º Á¦°øµµ °ËÅäÇÏ°í ÀÖ´Ù. |